开关电源芯片选哪个好 深圳市骊微电子科技有限公司

节省1颗高压MOS和9颗阻容件，智能电表ac-dc电源芯片：PN8145T
Chipown集成1200V功率MOSFET的经典代表产品。骊微电子代理的PN8145T集成PWM控制器及1200V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于10W SSR Flyback架构的智能电表内置电源板。
内置高压启动，节省3颗启动电阻；
内置1200V功率MOSFET，单端反激架构即可满足三相电网电输入，节省1颗功率开关管及6颗驱动外围器件。无需类似其他友商650V耐压产品要外部串联高压MOS分压。

电源适配器ic芯片的正确选择对于适配器来说有着至关重要的作用，关系到电源适配器的稳定性以及使用寿命，正确的选择电源适配器ic芯片不但可以延长产品的使用寿命，也可以减少产品的故障率。

PN8160 内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了极为全面和性能优优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。

PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

AP8266 IC 是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266 IC 内置 绿色的降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功耗的较高的转换效率。同时AP8266 IC 提供了丰富的保护，包括：逐周期过流保护、过压保护、过压箝位、欠压锁存、过温保护、过载保护，同时具有软启动和间歇工作模式功能。一旦出现故障，芯片进入自动重启状态直至故障排除。

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节省10颗阻容件/光耦，24W全集成PSR电源芯片：PN8395H
Chipown集成CCM技术的PSR代表产品。骊微电子代理的PN8395H集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于12V2A的PSR Flyback架构的六级能效适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
原边反馈及控制，节省光耦及TL431反馈网络等8颗外围器件；
支持DCM及CCM工作模式，率先突破PSR 24W功率集成的技术挑战。
节省11颗阻容件，专打印度过欠压的AC-DC电源芯片：PN6370P
Chipown集成不重启过欠压技术的代表产品。骊微电子代理的PN6370P集成多模式控制器及800V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12W PSR Flyback架构的印度市场专用的充电器、适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
内置市电侦测模块，节省9颗外围器件，实现行业最安全的输入高压保护方式：不锁死，不重启，不掉电。
节省10颗阻容件/光耦，0瓦待机ac-dc电源芯片：PN6367
Chipown集成深度休眠技术的经典代表产品。骊微电子代理的PN6367集成多模式控制器及720V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于PSR Flyback架构的微型断路器内置电源板。内置高压启动，节省2颗启动电阻；
原边反馈及控制，节省光耦及TL431反馈网络等8颗外围器件；
与MCU配合，芯片实现深度休眠，为当前行业最精简的MCB电源解决方案。
开关电源芯片作用是：1. 调节输出电压和该电压一致，保持输出电压稳定。 2， 开关电源芯片把开关电源所需要的控制逻辑都集成在芯片中，作用当然是简化电路设计、提高可靠性。

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