英飞凌IGBT功率模块FZ1200R12KF4****

英飞凌FZ1200R12KF4 IGBT功率模块/IGBT智能模块提供基较电流，从而使IGBT 导通，此时，从P+ 区注到N 一区进行电导调制，减少N 一区的电阻Rdr 值，使高耐压的IGBT 也具有低的通态压降。在栅较上加负电压时， MOSFET内的沟道消失， PNP 晶体管的基较电流被切断，IGBT 即关断。正是由于IGBT 是在N 沟道MOSFET的N+ 基板上加一层P+ 基板，形成了四层结构，由PNP － NPN 晶体管构成IGBT 。

FZ1200R12KF4详细介绍：
**：英飞凌(Infineon)
类型：IGBT功率模块/IGBT智能模块
批号：全新年份
供货数量：200
备注：2011+全新****

产品性能特点：
采用平板型IGBT硅片，其**性已得到业界公认 N系列：采用 CSTBT TM 硅片，进一步降低损耗，缩小体积N系列B型：采用 CSTBTTM 硅片，封装与H系列兼容  续流二极管：软恢复特性，**良好的EMI性能 基板：有Cu和AlSiC两种 额定电压：从1700V到6500V 额定电流：从200A到2400A  绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms  

应用领域：
牵引和大功率变频传动 电力传输 DC斩波器装置。

工作原理：
1 ）正常开通过程
当控制电路使EXB841 输入端脚14 和脚15 有10mA 的电流流过时，光耦合器IS0l 就会导通， A 点电位*下降至0V ，使V1 和V 2 截止； V 2 截止使D 点电位上升至20V ， V4 导通， V5 截止， EXB841通过V4 及栅较电阻Rg 向IGBT 提供电流使之*导通, Uc 下降至3V 。与此同时， V1 截止使+20V 电源通R3 向电容C2 充电，时间常数r1 为
r1=R3C2=2 .42us （ 2 － 17 ）
又使B 点电位上升，它由零升到13V 的时间可用下式求得:
13 ＝ 20 （ 1 － e (-t/r
1) （ 2 － 18 ）
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t=2 .54uS （ 2 － 19 ）
然而由于IGBT 约lus 后已导通，Uce 下降至3V ，从而将EXB841 脚6电位箝制在8V 左右，因此B 点和C 点电位不会充到13V ，而是充到8V左右，这个过程时间为1 ． 24us ；又稳压管VZ1 的稳压值为13V ， IGBT正常开通时不会被击穿， V3 不通， E 点电位仍为20V 左右，二极管VD6截止，不影响V4 和V5 的正常工作。

英飞凌(Infineon)FZ1200R12KF4600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块 ，
DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V
DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V
KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V
KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V
KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V

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英飞凌可控硅:                          
TT210N12KOF  TT210N08KOF  TT210N14KOF
TT210N16KOF  TT210N18KOF  TT215N18KOF  TT215N20KOF
TT210N24KOF  TT240N28KOF  TT240N30KOF  TT240N32KOF
TT240N34KOF  TT240N36KOF  TT250N12KOF  TT250N08KOF
TT250N14KOF  TT250N16KOF  TT250N18KOF  TT251N08KOF
800V,1000V,1100V,1200V,1300V 235  E20、F25、G30  PB50
DD46S08-12K， 800V,1000V, 1200V，45 PB20
DD61S10-14K  1000V, 1200V,1400V 61 PB20
DD81S10-14K 1000V, 1200V,1400V 81 PB20
DD82S06-10K  600V,800V,1000V  81 PB20
DD121S10-14K  1000V, 1200V,1400V 121 PB30
DD122S04-10K 400V,600V,800V,1000V 121 PB30
DD230S18-26K  1800V,2000V,2200V,2400V,2600V 230 PB50
DD241S10-14K  1000V, 1200V,1400V 240 PB50

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