快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管是一种反向恢复时间很短(通常在5微秒以下)的二极管。快恢复二极管的正向压降高于普通二极管(通常在1-2V),反向耐压多在1200V以下。快恢复二极管主要用于电路和开关电源中,可以提高电路的效率和可靠性。在工艺上,快恢复二极管采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。快恢复二极管在开关电路、电源转换器、逆变器、电机驱动器等应用中广泛使用。它们能够提供更高的开关速度、更低的开关损耗和的电压稳定性,从而提高系统的效率和可靠性。快恢复二极管通常采用高速材料(如硅碳化物SiC)或特殊的结构设计,以实现快速的反向恢复。它们具有较低的反向恢复时间(通常在纳秒级别)和较低的反向恢复电荷,从而减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰。我们公司本着“信誉至上,质量可靠”的经营理念,竭诚为广大用户服务,以优良的产品及质量管理为保证,向您提供的产品!
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