IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双型三管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。IGBT模块通常由多个IGBT晶体管、自由轮二极管、驱动电路和保护电路组成。它们装在一个模块化的外壳中,方便安装和使用。IGBT模块(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一种集成了多个IGBT晶体管和驱动电路的模块化器件。IGBT是一种高压、高功率开关器件,结合了MOSFET的高速开关特性和普通双型晶体管的低导通压降特性。IGBT模块是一种封装了多个IGBT芯片的模块化设备,常用于高功率电力电子设备中。IGBT模块的主要作用是提供高电压、高电流和高功率的开关控制。它通常由多个IGBT芯片、驱动电路、散热器和连接器等组成,可以方便地安装在电力电子设备中。我们公司奉行“创意”秉承“客户至上,以人为本、以诚取信、以质取胜、以新争天下”的质量方针和“正正直直做人,踏踏实实做事”的企业精神。
代理经营**着名公司生产的电力电子器件,主要括:Infineon英飞凌、EUPEC欧派克、SANREX三社、IXYS艾赛斯、SEMIKRON西门康、FUJI富士、MISUBISHI三菱、新电元、东芝、IR、西门子、英达、三肯、三洋、APT、ST、美高森美、巴斯曼BUSSMANN、法国罗兰等。