IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双型三管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是一种封装了多个IGBT芯片的模块化设备,常用于高功率电力电子设备中。IGBT模块的主要作用是提供高电压、高电流和高功率的开关控制。它通常由多个IGBT芯片、驱动电路、散热器和连接器等组成,可以方便地安装在电力电子设备中。IGBT模块的主要作用是将电能转换成机械能,实现电机的正反转和调速,同时也可以用于电力传输和变换。IGBT模块的优点是集成度高、可靠性强、体积小、重量轻、安装方便,可以提高电力设备的效率和可靠性。IGBT模块的选择应根据具体应用的功率需求、电压要求和开关频率等因素进行。不同型号和规格的IGBT模块适用于不同的应用场景,可以根据需求进行选择和配置。我们公司以客户为中心、以质量为核心、长期坚持互惠互利”的经营方针”,热情的为您服务,以优惠的价格回报客户。
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