APT2X30DC60J 快恢复二极管

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管通常采用高速材料（如硅碳化物SiC）或特殊的结构设计，以实现快速的反向恢复。它们具有较低的反向恢复时间（通常在纳秒级别）和较低的反向恢复电荷，从而减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰。快恢复二极管是一种反向恢复时间很短的二极管，通常在5微秒以下。它的工艺上采用掺金技术，结构上采用PN结型结构或改进的PIN结构。快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种特殊类型的二极管，具有较快的恢复时间和低反向恢复电荷。它被设计用于开关电路和需要快速反向恢复的应用。公司秉承：诚实守信，用户至上的服务理念。贴心服务的企业目标：以质量求生存，以信誉求发展的企业宗旨，或参观，我们竭诚为您服务！

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