NY8TM52
C:进位/借位标志位。
C=1时,加法运算有进位或减法运算无借位。
C=0时,加法运算无进位或减法运算有借位。
DC:半进位/半借位标志位。
DC=1时,加法运算低四位有进位或减法运算时没有向高四位借位。
DC=0时,加法运算低四位无进位或减法运算时有向高四位借位。
Z:零位。
Z=1时,算术或逻辑运算的结果是零。
Z=0时,算术或逻辑运算的结果不为零。
/PD:睡眠模式标志位。
/PD=1时,上电或执行CLRWDT指令后。
/PD=0时,执行SLEEP指令后。
/TO:**时标志位。
/TO=1时,上电或执行CLRWDT或SLEEP指令后。
/TO=0时,发生WDT上溢。
BK[1:0]:Bank选择位,BK[1:0]=00b 选择Bank0,BK[1:0]=01b 选择Bank1,BK[1:0]=10b选择Bank2。BK[1:0]=11b,选择Bank3。
GP5:通用寄存器数据位。
(*1) 可以被SLEEP指令。
(*2) 可以由CLRWDT指令设定。![]()
深圳华凡电子科技有限公司成立于2016年,是一家从事集成电路芯片研发与销售的技术型企业。核对团队成员都是多年从事集成电路的设计研发,公司目前专注于MCU单片机的领域;致力于为客户提供的产品。华凡电子专注于研发高抗干扰性、高可靠性的通用型及型单片机。本公司MCU产品划分为通用类MCU、类MCU和ASIC产品三个类别,目前公司的主要产品应用从、锂电数码、小家电、消费类等领域逐步拓展到智能家居、工业控制、汽车电子等领域。