快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管(Fast Recovery Diode)是一种特殊类型的二极管,具有较快的恢复时间和低反向恢复电荷。它被设计用于开关电路和需要快速反向恢复的应用。
快恢复二极管的正向压降高于普通二极管,通常在1-2V之间,反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级,前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
快恢复二极管在开关电路、电源转换器、逆变器、电机驱动器等应用中广泛使用。它们能够提供更高的开关速度、更低的开关损耗和的电压稳定性,从而提高系统的效率和可靠性。
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