南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台在背面工艺方面,拥有键合机、抛光台、磨片机等,可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。公司公共技术服务平台支持晶圆键合工艺,可以支持6英寸及以下晶圆的键合,并具备介质、热压、共晶、胶粘等键合能力,键合精度达到2um。键合工艺可以将不同的晶圆材料组合在一起,从而制造出具有较高性能的芯片。凭借研究院的技术实力和专业的服务团队,公共技术服务平台将为客户提供较加优良的技术服务,不断创新晶圆键合工艺,助力高科技产业的发展。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品可满足4英寸量级尺寸以下的任意形状、任意厚度的高导热材料热物性测试。海南化合物半导体芯片工艺技术服务
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于研发创新的散热技术和热管理解决方案。高功率密度热源产品可根据客户需求设计出色的散热效能和优异的热管理能力。这些高功率密度热源产品不仅解决了微系统和微电子领域散热问题,也为相关行业的发展带来了新的契机和可能。微系统和微电子领域的各类散热技术开发和热管理开发将因此获得推动。同时,这些产品的使用还能够提升设备的性能和效能,为微系统和微电子行业的发展打开了较广阔的未来。研究院高功率密度热源产品不仅在解决设备散热问题方面具有重要意义,还通过持续创新和研发,推动了整个行业的发展。江西微波毫米波芯片工艺技术服务南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可为客户提供芯片测试服务。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可以对外提供光电芯片测试服务,包括光电集成芯片在片耦合测试、集成微波光子芯片测试等。在光电芯片测试方面,公司经验丰富,设备**,能够高效准确地完成多种测试任务。对于光电集成芯片在片耦合性能测试和集成微波光子芯片测试,公司都可以提供专业的测试服务。公司拥有**的测试设备和设施,可以满足多种测试需求。此外,公司拥有一支专业的研发团队,致力于提高测试技术的精度和效率。公司致力于为客户提供高质量的测试服务,助力光电芯片领域的创新发展。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的高功率密度热源产品可应用于微系统和微电子领域。随着科技的不断进步和需求的日益增长,微系统和微电子设备的集成度和性能要求也在不断提高。而这些设备由于体积小、功耗大、工作频率高等特点,往往面临严峻的散热挑战。而南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的高功率密度热源产品恰好可对此提供较好的解决方案。随着科技的进步和需求的增加,相信该产品将在未来发展中发挥越来越重要的作用,为微系统和微电子领域带来更多的可能性和机遇。芯谷高频研究院的太赫兹放大器系列产品,是一项可提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务,可进行以下**集成材料制备和研发:1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆,用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器;2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆,用于低损耗光学平台;3)AlGaAs-on-insulator,绝缘体上AlGaAs晶圆,用于光**器件等新一代片上光源平台;4)Miro-Cavity-SOI,内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆,用于环栅GAA,MEMS等器件平台;5)SionSiC/Diamond,解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈;6)GaNonSiC,解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈;7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司提供定制化的SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务。吉林太赫兹芯片定制开发
芯谷高频研究院的固态微波功率源可设计不同工作模式的功率源,满足对高可靠、高集成、高微波特性的需求。海南化合物半导体芯片工艺技术服务
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务,该芯片电路工作频段达到1.5THz;适用于工作频率0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成电路设计与加工服务,GaAs薄膜型SBD集成电路是目前主流的技术解决方案。研究院可根据客户需求进行定制化开发,可应用于太赫兹混频、倍频、检波等技术方向。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将不断提高研发水平,为客户提供较好的服务。海南化合物半导体芯片工艺技术服务
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院成立于2018年5月24日,研究院依托固态微波器件与电路全国重点实验室(南京)、中国电科五十五所,聚焦高频电子器件领域,围绕太赫兹技术、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件五大研究方向开展产业共性关键技术研发、科技成果集成、技术转移转化、技术服务、产业发展战略研究、高科技企业孵化,建成**的高频器件产业孵化平台,推进高频器件产业化进程。