南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务,如:1)晶圆键合:提供6英寸及以下**高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务;2)衬底减薄:提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务;3)表面平坦化:提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括:**高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等,都是基于**的技术和设备,以满足客户的不同需求。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品准确性高,可满足热导率分析、热阻分析等需求,解决了材料的热评估难题。辽宁碳纳米管芯片设计
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供创新的大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品开发服务,这些产品具备优良的特性,包括耐功率和高速性能,能大幅提高整流功率和效率。公司专注于高频器件领域的研发与创新,致力于提供可靠、高效的解决方案,为客户带来良好的体验。研究院的研发团队经验丰富,技术造诣深厚,能够深入理解客户的需求,并根据需求量身定制解决方案,为客户提供**的氮化镓微波毫米波/太赫兹产品。随着无线通信和雷达技术的迅猛发展,大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品在各个领域都得到应用。公司致力于推动这一领域的创新与发展,以满足客户不断变化的需求。公司提供的产品具备创新性、高性能,能够用于通信、航空航天、医疗等领域,为客户带来更多商业**。公司深知客户的需求是公司的动力,公司会持续研发创新产品,提供技术咨询、解决方案和全程技术支持,以满足客户的需求。山东碳纳米管芯片加工南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可为客户提供芯片测试服务。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的跨尺度材料热物性测试仪是针对**高导热材料*的热物性测试仪器,可满足4英寸量级尺寸以下的任意形状、任意厚度的高导热材料(金刚石、SiC等)热物性测试,测试精度高,主要用于百微米量级厚度材料的热导率分析、微纳级薄膜或界面的热阻分析,可有效解决现有设备无法实现大尺寸、微米级厚度、及其**高热导率等材料的热评估难题。该设备数据自动采集系统和分析软件具有知识产权,采用半自动控制,可靠性高,操作便捷。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备**的CVD用固态微波功率源技术。CVD技术是一种关键的制备技术,它通过气相反应直接在衬底上生长薄膜,是许多重要材料的制备技术之一。而固态微波功率源则是CVD设备重要组成部分。研究院的固态微波功率源,其技术**,性能优良,可以广泛应用于化学/物理/电子束气相沉积和磁控溅射等各领域。该技术的应用前景十分广阔。在催化反应、材料制备等领域,CVD已是一种通行的制备技术。该技术的优势不仅在于制备的薄膜质量高,而且操作简单,可实现大规模制备,制备出的薄膜可广泛应用于热电转换器、光学设备、导电薄膜和光伏电池等领域。研究院在CVD用固态微波功率源技术上的研究和应用,将较大地推动该技术的发展并扩大其应用范围。研究院的技术实力,丰富的经验以及创新精神,将为该行业的进一步发展奠定坚实的基础。 芯谷高频研究院的热物性测试仪可有效解决无法实现大尺寸、微米级厚度、及其**高热导率等材料的热评估难题。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备**的半导体器件及电路的加工流片能力,具备*具创新的技术和研发能力。作为一家致力于半导体领域的**技术研究机构,公司拥有一支高素质的研发团队,并配备了**的研发设备。通过不断探索和突破,南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司成功研发出多种半导体器件及电路,并具备了高水平的加工流片能力,可以为客户提供芯片单步、多步加工服务,也可开展芯片特殊工艺开发。芯谷高频器件研究院可完成芯片的研发、制造、测试等,可进行单步或多步工艺定制开发,可满足多种工艺要求。海南化合物半导体芯片定制开发
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发服务。辽宁碳纳米管芯片设计
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务,该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势,工作频率涵盖1GHz~300GHz,截止频率达600GHz;可用于接收端的大功率限幅,提高抗干扰能力;可用于无线输能或远距离无线充电,可大幅提高整流功率和效率,实现装置的小型化;用于太赫兹系统,可提高太赫兹固态源输出功率,实现太赫兹源小型化,为6G通信等未来应用奠定基础。辽宁碳纳米管芯片设计
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院成立于2018年5月24日,研究院依托固态微波器件与电路全国重点实验室(南京)、中国电科五十五所,聚焦高频电子器件领域,围绕太赫兹技术、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件五大研究方向开展产业共性关键技术研发、科技成果集成、技术转移转化、技术服务、产业发展战略研究、高科技企业孵化,建成**的高频器件产业孵化平台,推进高频器件产业化进程。