1)南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司太赫兹放大器系列产品,是一项可提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。太赫兹技术是一项近年来备受关注的*技术,具有广泛的应用潜力。作为具有**竞争力的创新科技企业,公司依托其强大的研发实力和创新能力,成功地实现了太赫兹芯片的*。太赫兹放大器系列产品的应用前景广阔,山东微波毫米波芯片定制开发,太赫兹技术在通讯、安全检测、材料表征等众多领域都具有重要意义,山东微波毫米波芯片定制开发。公司将继续不断创新,山东微波毫米波芯片定制开发,推动太赫兹行业的发展。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务。山东微波毫米波芯片定制开发
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可对外提供半导体器件及电路的加工流片服务,可完成太赫兹芯片、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件等各个领域芯片的研发与制造,可提供工艺开发、芯片流片、芯片测试等服务,可进行单步或多步工艺定制开发,可满足多样性的工艺要求。未来,南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将继续致力于半导体器件及电路的研发和创新,为行业的发展贡献自己的力量。山西石墨烯器件及电路芯片工艺定制开发芯谷高频研究院的高功率密度热源产品适用于微系统或微电子领域的热管、微流以及新型材料的散热技术开发。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可以对外提供光电芯片测试服务,包括光电集成芯片在片耦合测试、集成微波光子芯片测试等。在光电芯片测试方面,公司经验丰富,设备**,能够高效准确地完成多种测试任务。对于光电集成芯片在片耦合性能测试和集成微波光子芯片测试,公司都可以提供专业的测试服务。公司拥有**的测试设备和设施,可以满足多种测试需求。此外,公司拥有一支专业的研发团队,致力于提高测试技术的精度和效率。公司致力于为客户提供高质量的测试服务,助力光电芯片领域的创新发展。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的跨尺度材料热物性测试仪是针对**高导热材料*的热物性测试仪器,可满足4英寸量级尺寸以下的任意形状、任意厚度的高导热材料(金刚石、SiC等)热物性测试,测试精度高,主要用于百微米量级厚度材料的热导率分析、微纳级薄膜或界面的热阻分析,可有效解决现有设备无法实现大尺寸、微米级厚度、及其**高热导率等材料的热评估难题。该设备数据自动采集系统和分析软件具有知识产权,采用半自动控制,可靠性高,操作便捷。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供光电器件及电路技术开发。
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司拥有**的硅基氮化镓产品开发技术。公司致力于提高半导体器件的性能。在研发过程中,公司深度探究硅基氮化镓器件与芯片技术,不断创新,不断提高研究水平。目前,公司已经拥有一批有经验和实力的团队,在硅基氮化镓方面拥有多年的研究和实践经验。公司采用**的工艺流程,推行高效率的管理模式,不断探索创新型的研发模式,以提升企业的研究开发能力和效率。在市场方面,公司积极总结经验,探究市场需求,根据客户的具体需求进行定制化设计开发,为客户提供质量优秀的硅基氮化镓产品。未来,公司将继续不断创新和发展,秉承“科技改变生活,创新铸就未来”的理念,不断推动半导体技术的发展。芯谷高频公司拥有芯片研发与制造能力,能够高效地完成芯片流片,包括太赫兹、异质异构集成等领域芯片。上海金刚石芯片定制开发
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供GaAs太赫兹SBD管芯技术开发服务。山东微波毫米波芯片定制开发
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备**的CVD用固态微波功率源技术。CVD技术是一种关键的制备技术,它通过气相反应直接在衬底上生长薄膜,是许多重要材料的制备技术之一。而固态微波功率源则是CVD设备重要组成部分。研究院的固态微波功率源,其技术**,性能优良,可以广泛应用于化学/物理/电子束气相沉积和磁控溅射等各领域。该技术的应用前景十分广阔。在催化反应、材料制备等领域,CVD已是一种通行的制备技术。该技术的优势不仅在于制备的薄膜质量高,而且操作简单,可实现大规模制备,制备出的薄膜可广泛应用于热电转换器、光学设备、导电薄膜和光伏电池等领域。研究院在CVD用固态微波功率源技术上的研究和应用,将较大地推动该技术的发展并扩大其应用范围。研究院的技术实力,丰富的经验以及创新精神,将为该行业的进一步发展奠定坚实的基础。 山东微波毫米波芯片定制开发
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院成立于2018年5月24日,研究院依托固态微波器件与电路全国重点实验室(南京)、中国电科五十五所,聚焦高频电子器件领域,围绕太赫兹技术、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件五大研究方向开展产业共性关键技术研发、科技成果集成、技术转移转化、技术服务、产业发展战略研究、高科技企业孵化,建成**的高频器件产业孵化平台,推进高频器件产业化进程。