DSEI2X31-10B 可靠性较高

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管通常采用高速材料（如硅碳化物SiC）或特殊的结构设计，以实现快速的反向恢复。它们具有较低的反向恢复时间（通常在纳秒级别）和较低的反向恢复电荷，从而减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰。

快恢复二极管是一种反向恢复时间很短的二极管，通常在5微秒以下。它的工艺上采用掺金技术，结构上采用PN结型结构或改进的PIN结构。

快恢复二极管的正向压降高于普通二极管，通常在1-2V之间，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级，前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

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