三社快恢复二极管 BYT261PIV400 反向恢复时间短

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种特殊类型的二极管，具有较快的恢复时间和低反向恢复电荷。它被设计用于开关电路和需要快速反向恢复的应用。

传统的整流二极管在反向电压变为正向电压时，需要一定的恢复时间来关闭导通。这个恢复时间会导致能量损耗和电压尖峰，限制了开关速度和效率。而快恢复二极管通过优化材料和结构设计，减少了恢复时间和反向恢复电荷，从而提高了开关速度和效率。

快恢复二极管的正向压降高于普通二极管，通常在1-2V之间，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级，前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

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