快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管的主要优点是反向恢复时间短,能够快速地恢复到正向导通状态,从而减少了开关过程中的能量损耗,提高了开关效率。此外,快恢复二极管还具有低反向漏电流、高温稳定性等优点,适用于开关电路、电源电路、逆变器等多种应用场合。
快恢复二极管的正向压降高于普通二极管,通常在1-2V之间,反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级,前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
快恢复二极管通常采用高速材料(如硅碳化物SiC)或特殊的结构设计,以实现快速的反向恢复。它们具有较低的反向恢复时间(通常在纳秒级别)和较低的反向恢复电荷,从而减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰。
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