快恢复二极管 DWM100X2-12N

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
快恢复二极管是一种反向恢复时间很短的二极管，通常在5微秒以下。它的工艺上采用掺金技术，结构上采用PN结型结构或改进的PIN结构。

快恢复二极管的正向压降高于普通二极管，通常在1-2V之间，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级，前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

快恢复二极管是一种反向恢复时间很短（通常在5微秒以下）的二极管。快恢复二极管的正向压降高于普通二极管（通常在1-2V），反向耐压多在1200V以下。快恢复二极管主要用于电路和开关电源中，可以提高电路的效率和可靠性。在工艺上，快恢复二极管采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。

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