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MOS管，全称金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常用的场效应管。它由金属、氧化物和半导体材料构成，基本结构为金属栅、氧化物绝缘层和半导体衬底。
MOSFET是一种单型晶体管，具有三个电：栅（Gate）、漏（Drain）和源（Source）。通过调节栅电压，可以控制漏和源之间的电流流动，实现放大和开关功能。

MOS管的工作原理是通过改变栅电上的电场，来控制源漏间的电流。MOS管的主要结构包括：P型衬底、N型沟道、P型源、P型漏、金属栅和氧化物层。其中，金属栅和氧化物层一起构成了栅结构，被称为MOS结。

MOS管具有许多优点，如低功耗、高速度、高输入阻抗、可靠性和可控性。它们广泛应用于数字电路、模拟电路、微处理器、存储器、功率放大器等领域。不同类型和参数的MOS管适用于不同的应用场景，可以根据具体需求进行选择和设计。

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