IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双型三管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块是一种封装了多个IGBT芯片的模块化设备,常用于高功率电力电子设备中。IGBT模块的主要作用是提供高电压、高电流和高功率的开关控制。它通常由多个IGBT芯片、驱动电路、散热器和连接器等组成,可以方便地安装在电力电子设备中。
IGBT模块通常由多个IGBT晶体管、自由轮二极管、驱动电路和保护电路组成。它们装在一个模块化的外壳中,方便安装和使用。
IGBT模块具有高电压和高电流承受能力,适用于高功率应用,如电力电子设备、电机驱动器、逆变器、变频器等。它们可以实现的功率转换和控制,具有较低的开关损耗和较高的开关速度。
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