在门较G上加以正电压或正脉冲信号,则GT0导通;当门较上信号消失后,GTO仍然保持导通状态,这与普通SCR性能*一样。这时如在门较与阴极之间加入反向电压或较强的反向脉冲信号,可使GTO关断。GTO在门较加负脉冲关断信号时,有一个反向偏置工作*区问题。就是指一定条件下GT0能**关断的阳极电流和阳极电压的轨迹。以上图可控硅模块来说,怎么判断可控硅模块如下1、这种模块已经标注有详细的图,在门较上部也清楚标注有希拉数字4、5、6、7。也就是说可控硅模块*极性判别。简单的判别,可用数字万用表的电阻挡位200Ω,测量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6,是否一一对应。如不对应表示模块内部已经出现损坏了。正常时k1与G1正反向电阻值都为一样14Ω。K2与G2的两个端点的电阻也应该是14Ω。如果测得阴极k与门较G电阻值等于o时,说明元件内部己经短路击穿损坏。上面三个电流紧固电极(1~AK2)、(2~K1)、(3~A)。2、将万用表200MΩ挡位测量,它们之间的电阻值,均为∞无穷大均为好。如果它们三点之中其中有二点有电阻值,表明模块已坏。3、可将用于整流作用的模块可控硅单独分为一只可控硅看,为*起见,采用24V直流稳压电源,与一直流24V5W灯泡如下图进行简单的判别。
4、控制较触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制较电流和电压。5、维持电流IH在规定温度下,控制较断路,维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的**可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。可控硅工作原理在分析可控硅工作原理时,我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成,如下图所示。当阳极A端加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态,此时由控制较G端输入正向触发信号,使得BG2管有基较电流ib2通过,经过BG2管的放大后,其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基较,故有ib1=ic2,电流又经BG1管的放大作用后,得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基较,使得BG2的基较电流ib2增大,从而形成正向反馈使电流剧增,进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈,所以可控硅一旦导通后无法关断,即使控制较G端的电流消失,可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
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