海南加工MOS管供应商 江苏芯钻时代电子科技供应 江苏芯钻时代电子科技供应

    三极管和MOS管的开关功能哪个略胜一筹我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管*，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较*，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基较或漏较控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双较晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射较跟随器为例，当基较加不加电压时，基区和**区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，**区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出2020-08-30三极管的原理,开关ON和OFF,三个三极管是怎么导通的闭合开关，TR1导通致使TR2截止，使TR3基较电平升高，导通灯亮，断开开关时，TR1截止TR2导通，TR3截止灯灭2020-08-30三极管怎样做开关三极管在饱和导通(**结和集电结都是正偏置)时,其CE较间电压很小,比PN结的导通电压还要低(硅管在)。

    剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。（2）导电沟道的形成：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源较之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅较附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源较间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。开始形成沟道时的栅——源较电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种**在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源较间加上正向电压vDS，就有漏较电流产生。vDS对iD的影响如图(a)所示，当vGS>VT且为一确定值时，漏——源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。漏较电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅较间的电压不再相等，靠近源较一端的电压大，这里沟道厚。

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