北京高压二极管型号 上海来明电子供应

LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，北京高压二极管型号，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。LED的**显着特点是使用寿命长，光电转换效能高，北京高压二极管型号。其原下上在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能，北京高压二极管型号。LD是激光二极管的英文缩写，激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。半导体雷射二极管的工作原理，理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱，激光印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了***的应用。二者在原理、架构、效能上的差别。（1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。（2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。（3）效能上的差别：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。 常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。北京高压二极管型号

高压二极管是指设计用于在较高电压下工作或暴露在高电压下具有特定特性的任何二极管。几乎任何二极管都可以在任何电压下工作，如果这正是它所要做的。通过加固二极管的部分并在其构造过程中使用特定材料，二极管可以承受较高的功率。因此，在处理高压或电压尖峰时，通常使用几种二极管。高压二极管具有体积小,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。 北京高压二极管型号在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。

发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用***。发光二极管可*地将电能转化为光能，在现代社会具有***的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被***地应用于显示器和照明。

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    肖特基二极管又称SBD,是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的。肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有较少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 二极管根据应用分为多种类型。北京高压二极管型号

肖特基二极管是贵金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒。北京高压二极管型号

测量双向触发二极管的转折电压的方法：先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二极管的两较对调连接后并读出电压值U2。测量双向触发二极管的转折电压的方法：用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。北京高压二极管型号

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