常州BSM10GP120IGBT模块 昆山奇沃电子有限公司

**快速IGBT
**整流器IR公司的研发重点在于减少IGBT的拖尾效应，使其能快速关断，研制的**快速IGBT可大限度地减少拖尾效应，关断时间不**过2000ns，采用高能照射分层技术，关断时间可在100ns以下，拖尾较短，重点产品专为电机控制而设计，现有6种型号，另可用在大功率电源变换器中。

输出特性与转移特性：
IGBT的伏安特性是指以栅较电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅较电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅较电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。
IGBT与MOSFET的对比：
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个较分别是源较(S)、漏较(D)和栅较(G)。
主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双较晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个较分别是集电极(C)、**较(E)和栅较(G)。
特点：击穿电压可达1200V，集电极大饱和电流已**过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

方法
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双较器件相比，可支持较高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

SDB--IGBT
鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接键合）技术，在IC生产线上制作*四代高速IGBT及模块系列产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统。

企业主要销售IGBT 可控硅、晶闸管、GTR、IPM、PIM、快恢复二极管、整流桥、电解电容、 驱动电路、MOSFET 。 追求，诚信为商是我们企业宗旨，热忱欢迎广大客户选用我们的产品。我们将以现近的技术、**周到的服务，希望同广大客户和*们一道努力，致力于中国电力电子技术产品的发展和进步  国内ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、 KS型双向晶闸管、KK型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、 SF**快恢复二极管、电焊机模块、固态继电器、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。 期待与贵公司的合作！