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SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度**PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，重庆快恢复二极管阵列。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，重庆快恢复二极管阵列，*不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，重庆快恢复二极管阵列，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面较易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管较*受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 二极管PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。重庆快恢复二极管阵列

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。我们可提供的二极管类型有：普通整流二极管，快恢复二极管，*整流二极管、**快恢复二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管、稳压二极管，开关二极管、触发二极管等。封装类型有：TO-220AB、ITO-220、DO-27、TO-252、SMA、SMB、SMC、DO-41、SMAF、SMBF、SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SOD-323FL、DO-15、DO-27等。辽宁大功率二极管电路图SBD是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

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稳压二极管，是指利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。，稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压**反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流较小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。 二极管的电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。我们可提供的二极管类型有：普通整流二极管，快恢复二极管，*整流二极管、**快恢复二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管、稳压二极管，开关二极管、触发二极管等。新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。辽宁大功率二极管电路图

开关二极管分为普通、高速、**高速、低功耗、高反压、硅电压开关二极管等多种类型。重庆快恢复二极管阵列

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有较少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 重庆快恢复二极管阵列

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