稳压二极管,英文名称Zenerdiode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。[1]此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,吉林肖特基二极管原理,吉林肖特基二极管原理,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,吉林肖特基二极管原理,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得较高的稳定电压。 肖特基(Schottky)二极管的比较大特点是正向压降 VF 比较小。吉林肖特基二极管原理
SiC高压SBD由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低,用其制作的SBD击穿电压较低,反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(~),临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm),饱合速度快(2×107cm/s。热导率高为(cm·K),抗化学腐蚀性强,硬度大,材料制备和制作工艺也比较成熟,是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗,关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度,而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度,这是相矛盾的。因此,对势垒金属**折衷考虑,故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说,Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度**Ti/SiC,故前者有较低的反向漏电流,而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD,采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD,反向特性与Ni肖特基整流器相当,在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍,而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD,击穿电压达550V。 山西ESD二极管符号典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
激光二极管LD包括单异质结(SH)、双异质结(DH)和**阱(QW)激光二极管。**阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是市场应用的主流产品。同激光器相比,激光二极管具有**、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mW),线性差、单色性不太好,使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,**模拟信号。在双向光接收机的回传模块中,,上行**一般都采用**阱激光二极管作为光源。
熟悉二极管的特性就知道,二极管***的一个特性就是单向导电性。当电流流过二极管处时,由于二极管的单向导电性,阻止了电流流过,此时的负载无法构成回路,对负载电路没有任何影响。假如没有这个防电源接反二极管,当电源接反时,此时负载电路构成回路,负载流过的电流与正常情况不一样,从而导致负载电路烧毁。一般情况下,电路板输入电源中都会加二极管来防止电源接反时,而烧毁电路板。防反二极管一般接在电源输入端的正极上,当然也可接在负极上。 二极管可作开关用,常用型号为1N4148。
稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。 [1] 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得较高的稳定电压。硅电压开关二极管主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。安徽齐纳二极管电压
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。吉林肖特基二极管原理
二极管额定正向平均电流(额定电流)IF:指在规定+40℃的环境温度和标准散热条件下,元件结温达额定且稳定时,容许长时间连续流过工频正弦半波电流的平均值。将此电流整化到等于或小于规定的电流等级,则为该的额定电流。在选用大功率二极管时,应按元件允许通过的电流有效值来选取。对应额定电流if的有效值为1.57IF。大功率二极管的型号:普通型大功率二极管型号用ZP表示,其中Z**整流特性,P为普通型。普通型大功率二极管型号可表示如下,ZP[电流等级]—[电压等级/100][通态平均电压组别],如型号为ZP50—16的大功率二极管表示:普通型大功率二极管,额定电流为50A,额定电压为1600V。 吉林肖特基二极管原理
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