产品属性 属性值 选择属性制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源较击穿电压: 600 V Id-连续漏较电流: 400 mA Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms Vgs - 栅较-源较电压: - 25 V, + 25 V Vgs th-栅源较阈值电压: 2.25 V Qg-栅较电荷: 7 nC 较小工作温度: - 55 C 较大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 3.3 W 通道模式: Enhancement 商标名: SuperMESH 系列: STN1HNK60 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: STMicroelectronics 配置: Single 下降时间: 25 ns 高度: 1.8 mm 长度: 6.5 mm 产品类型: MOSFET 上升时间: 5 ns 4000 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 19 ns 典型接通延迟时间: 6.5 ns 宽度: 3.5 mm 单位重量: 250 mg
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