浙江二极管阵列 上海来明电子供应

高压二极管是指设计用于在较高电压下工作或暴露在高电压下具有特定特性的任何二极管。几乎任何二极管都可以在任何电压下工作，如果这正是它所要做的。通过加固二极管的部分并在其构造过程中使用特定材料，二极管可以承受较高的功率。因此，在处理高压或电压尖峰时，通常使用几种二极管。高压二极管具有体积小，浙江二极管阵列,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性，浙江二极管阵列，把交流电变成脉动直流电，浙江二极管阵列。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。 硅电压开关二极管是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分。浙江二极管阵列

新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级**半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子**自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，**终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。浙江二极管阵列通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能**稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。

熟悉二极管的特性就知道，二极管***的一个特性就是单向导电性。当电流流过二极管处时，由于二极管的单向导电性，阻止了电流流过，此时的负载无法构成回路，对负载电路没有任何影响。假如没有这个防电源接反二极管，当电源接反时，此时负载电路构成回路，负载流过的电流与正常情况不一样，从而导致负载电路烧毁。一般情况下，电路板输入电源中都会加二极管来防止电源接反时，而烧毁电路板。防反二极管一般接在电源输入端的正极上，当然也可接在负极上。

普通的二极管由PN结组成。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管。正因为有本征(Intrinsic)层的存在，PIN二极管应用很***，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF开关和RF保护电路，也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。微波开关利用PIN管在直流正-反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用.PIN二极管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的，但是在微波频段却有根本的差别。由于PIN二较I层的总电荷主要由偏置电流产生。而不是由微波电流瞬时值产生，所以其对微波信号只呈现一个线性电阻。此阻值由直流偏置决定，正偏时阻值小，接近于短路，反偏时阻值大，接近于开路。因此PIN二较对微波信号不产生非线性整流作用，这是和一般二极管的根本区别，所以它很适合于做微波控制器件。 二极管较高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。

    肖特基二极管又称SBD,是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的。肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有较少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。浙江二极管阵列

无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。浙江二极管阵列

瞬态电压抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的*能保护器件。当TVS二极管的两较受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两较间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两较间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。TVS二极管过电压反应的速度会比其他的过电压保护元件（例如压敏电阻或是气体放电管）要快。实际的箝位大约只有一皮秒，但因为实际电路中导线存在电感，因此保护元件需容许较长时间的大电压。因此TVS二极管会比其他元件适合保护电路不受很快，而且有破坏性的电压突波。像许多分散式的电路都有这种**的过电压突波，可能因为内部因素或是外部因素造成，例如闪电或是马达短路。 浙江二极管阵列

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