制造半导体器件,氧化硅层均质化工艺

  名称：制造半导体器件的简化工艺 
简介： 一种使光掩模之间彼此准确对齐所需要的定位图案(4)；非晶硅(2)，其沉积到绝缘层(12)的除形成有定位图案的区域外的整个表面，以及将离子注入的图案和定位图案(4)同时转移到光抗蚀剂层(3)；使用光抗蚀剂掩膜(3)把掺杂剂杂质离子注入非晶硅层(2)，使用光抗蚀掩膜(3)选择性蚀刻绝缘层(12)；结果简化了工艺程序。 
 


  名称：应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具 
简介： 一种应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具，适用于四乙氧基硅烷工艺使氧化硅层均质化的方法，其中包括一内炉管上管治具，适用于将内炉管与外炉管作同轴对准。另外尚包括一标准程序，可以轻易的解决以四乙氧基硅烷工艺形成的氧化硅层的均匀度的问题，并可大幅提高工艺的稳定性。 
 
详