厦门汤浅蓄电池 免维护

环球榜首蓄电池：汤浅蓄电池，选用特有的DSP数字控制技能是如本日下上各项优越的阀控式铅一酸免维护蓄电池，也是如今我国市场上仅有选用纯原质料的蓄电池．它在运用时稳固，可靠性高，运用寿命长，具有以下的技能特色：
选用固体凝胶电解质。在同等体积下，电解质容量大，热容量大，热消散才气强，能防备通常蓄电池易产生的热失控情形。对情况温度的顺应才气（高、低温）强。
内部无游离的液体存在，无内部短路的大概。
电解质浓度低，对极板腐化弱；浓度匀称，不存在酸分层的情形。
选用无锑合金电池极板，电池自放电率极低，在20摄氏度下电池寄存两年不需增补电。
选用滑动密闭技能（汤浅蓄电池）
恒久放电才气及循环放电才气强．
选用高敏捷度低压伞式气阀（汤浅公司专利），无渗液＼鼓胀情形。
的担当深放电及大电放逐电才气，有过充电及过放电自我维护，电池在100％后仍可继承接在负载上，在相近内充电可规复至原容量．司专利），即允许由电化学回声肯定产生的电池运用后期的的极柱发展，又能包管其极高的密封。
大容量电池（UXL系列）选用正极管式极板，电池单体大可做到 2V 3000AH；浮充运用寿命长可达20年。

汤浅蓄电池NP100-12系列产品特点：
1、维护简单：充电时电池内部产生的气体基本被吸收还原成电解液，基本没有电解液减少。
2、持液性高电解液被吸收于的隔板中，保持不流动状态，所以即使倒下也可使用。（倒下超过90度以上不能使用）
3、安全性能优越：由于端过充电操作失误引起过多的气体时可以放出，防止电池的破裂。
4、自放电小：用铅钙合金生产板栅，把自放电控制在小。
5、寿命长（设计寿命3～6年）经济性好：汤浅蓄电池板栅采用耐腐蚀性好的特种铅钙合金，同时采用隔板能保住电解液，再同时用强力压紧正板活性物质，防落，所以是一种寿命长、经济的电池。
6、内阻小：由于内阻小，大电流放电特性好。
7、深放电后有优良的恢复能力：万一出现长期放电，只要充分充电，基本不出现容量降低，很快可以恢复。

汤浅蓄电池不能修复的真正原因
蓄电池修复在网上谈论的话题比较多，期初很多人买了修复机开店，后大呼上当，没法修复，亏了，骂修复机的生产企业。笔者根据自己在实验中的经验跟大家谈论这个话题。
其实蓄电池损坏的主要的原因有两个：硫化和自放电。
1、硫化：简单地说也就是蓄电池中硫酸铅不能在充电过程中完全转化为硫酸和铅，日积月累，蓄电池中不能参与化学反应的硫酸铅的增加，硫酸减少导致蓄电池容量减小。去硫化其实没那么神秘，用脉冲技术就能很好地解决这个问题。网上介绍一些修复的经验我看了一下，他们能使蓄电池起死回生的这个蓄电池其实是个好的蓄电池，长期没使用硫化了，不能用了，充充电脉冲打一下，蓄电池激活了。你不要把这个例子引用到所有蓄电池上哦。
2、自放电：对于二次电池，新电池充满电后都有自放电现象，只不过自放电的大小有区别而已。蓄电池自放电在二次电池中属于比较大的那种。自放电对蓄电池的使用寿命的影响有多大？看一个实验：用一杯蒸馏水，在水中插上万用表的两根表笔，检测其电阻，蒸馏水基本不导电，测量的电阻在5兆欧以上，现在在水中加入导电的碳粉，搅拌，在逐步加入碳粉的过程中观察电阻的变化，当碳粉加到一定浓度后电阻开始变小，碳粉越多电阻越小，后变成了导体。我把在蓄电池中相当于实验中碳粉的东西叫导电因子，蓄电池在充放电过程中板的脱落就会产生这个导电因子。蓄电池大电流的充放电这个导电因子产生的就多，影响蓄电池的寿命。像汽车用的启动型蓄电池，在启动时电流很大300A左右，如果板的制造是均匀的，大电流均匀地分布在板上对板损伤就不大，然而这是不可能的。瞬时大电流就好像雷电一样，电荷要寻找一条佳的运动通路。大电流作用在板上是板上的部分面（相当于一次雷击），而不是全部面。这个作用面的面积越小板上脱落的东西就越多，大块的落在底部，小的微粒悬浮在电解液中，到电解液浑浊是相当厉害了，相当于导电因子多，蓄电池损坏越快。所以启动型、动力型的蓄电池寿命就短，而UPS这种后备型的蓄电池寿命就长可达到理论寿命10年以上。
综上所述，蓄电池硫化是可修复的，而导电因子的存在是不可修复的。大部分蓄电池是因为导电因子的存在而损坏，所以你买一个修复机是不管用的。坏了的蓄电池，其实只使用了一年多一点，板基本完好，可再利用。经过拆卸、板清洗（清洗掉导电因子）、换新的标准电解液等步骤后，一个8-9成新的蓄电池诞生了。电瓶车蓄电池以旧换旧就是这个道理。

汤浅蓄电池输出功率
驱动变压器原边电容c的容量不能太小，否则驱动脉冲的宽度将被 衰减，导致VTs导通时间过短，减小汤浅蓄电池的输出功率。另一点值得注意的是，MOSFET 管的栅与源之间的硅氧化层比较容易因过电压击穿，一般栅、源之间耐压值在 20?30 V，如果一旦击穿将造成损坏，MOSFET管在电路中工作时，如栅驱动波 形中由于杂散电感或其他原因引起尖峰电压并超过栅耐压值时，很容易击穿MOSFET 管的栅，因此一般在紧靠近栅处设置一中DZ2和DZ^ 稳压管的箝位电压一般在15?18 V比较合适，当驱动波形中有超过此电压的尖峰脉冲将被箝位在安全栅电压之内。
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