鹏城半导体 高真空磁控溅射仪 PC-002 距离角度可调

高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。

设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
靶材背面和溅射靶表面的结合处理
-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。

-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。

-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。

距离可调整

基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

角度可调

磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。

 集成一体化柜式结构

一体化柜式结构优点：

安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）

占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。

控制系统

采用计算机＋PLC两级控制系统

安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-温度检测与报警保护

-冷却循环水系统的压力检测和流量

-检测与报警保护

匀气技术

工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。

基片加热技术

采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。

真空度更高、抽速更快

真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。

高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情

设备结构及性能

1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱

2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容

5、基片可旋转、可加热

6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动

工作条件

 供电	 ～ 380V	 三相五线制
 功率	 根据设备规模配置	 
 冷却水循环	根据设备规模配置
  水压	 1.5 ～ 2.5×10^5Pa
  制冷量	 根据扇热量配置	 
 水温	 18～25℃	 
 气动部件供气压力	 0.5～0.7MPa	 
 质量流量控制器供气压力	 0.05～0.2MPa	 
 工作环境温度	 10℃～40℃	 
 工作湿度	 ≤50%	 

设备主要技术指标

-基片托架：根据供件大小配置。

-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。

-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。

-基片架可加热、可旋转、可升降。

-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。

 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。

-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。

-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术*、市场*和产业*的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司**业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为**的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的**装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备**的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与jun*gong和he*gong*ye客户合作**突破（he*fan*ying*dui*材料的涂层工艺及装备、X *guang*gan*板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层
-gao*xin*ji*shu企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权**；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计**高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
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