深圳汽车电子近场辐射实验室 来电咨询 扬芯供应

近场是一个物理和化学条件急剧变化的复杂区域，在该区域内，废物体、包装容器、回填材料和岩石都将随时间的变化，在温度和辐射场的影响下发生相互作用，并与地下水发生作用。近场的设计决定了放射性核素释放的速率。在性能评价中，近场向远场的释放量构成了远场模式计算的源项。在数学上的电场强度，可以被看作是两个部分的总和，近场成分指的立方衰减分量强度随距离（观测点的天线的距离），远场分量的强度距离衰减二次组件，深圳汽车电子近场辐射实验室。近的距离分界点是可能时，近场分量和远场成分的强度大致相同的时间的距离，深圳汽车电子近场辐射实验室，超过这个距离，远场分量是远大于近场分量，深圳汽车电子近场辐射实验室。是多少特写的波长和天线大小取决于。这里的虚数是指相位差为1/4周期的两个组件之间的相位差。在性能评价中，近场向远场的释放量构成了远场模式计算的源项。深圳汽车电子近场辐射实验室

电磁波辐射基础知识：电磁辐射常见的产生方式是导体中电流的突变或者电压的骤升，辐射的路径通过PCB走线，器件的引脚，连接器或者是其它的金属介质，包括机箱，机架或者是产品的外壳。这个电磁辐射实际上是指电场和磁场的相互作用，相互影响。它被这样描述：正交时变的电场和磁场的传播。尽管电场和磁场是由同一现象产生的，但是他们对环境的影响是完全不同的。磁场只由移动的电荷（即电流）产生。在大多数电路中，电流通过PCB走线、器件引脚进行传导。因此，磁场在走线中产生的电磁场中倾向占主要地位，从而传导信号和能量到电路中不同的部分。深圳汽车电子近场辐射实验室虽然电磁场存在于天线周围，但他们会向外扩张。

传统的EMI辐射测试往往借助EMI接收机，在专业实验室的暗室里进行，这固然可以对产品的整体EMI辐射做严格的测试，但往往测试周期长、费用较高，加之远场测试只能测出结果，而不能给出具体辐射的位置，所以给产品的设计和改善带来不小的麻烦。随着测试测量仪器的发展，近几年，近场探头和频谱分析仪的组合个EMI辐射的测试定位带来了新的方向。为采用一个近场探头和实时频谱分析仪对一个电路进行辐射源的查找，我们可以很清楚的观测到在近场探头附件有四个主要频率的辐射，这对于硬件工程师进行设计的改善是具有极大帮助的。

辐射近场测量的研究与误差分析的探讨是同时进行的，研究结果表明：辐射近场测量的主要误差源为18项，大致分为4个方面，即探头误差、机械扫描定位误差、测量系统误差以及测量环境误差。对于平面辐射近场测量的误差分析已经完成，计算机模拟及各项误差的上界也已给出；柱面、球面辐射近场测量的误差分析尚未完成。对于平面辐射近场测量而言，由基本理论可知，在θ=-90°或90°（θ为场点偏离天线口面法线方向的方向角）时，这种方法的精度明显变差，因此平面辐射近场测量适用于天线方向图为单向笔形波束天线的测量，可信域（-θ，θ）中的θ值与近场扫描面和取样间距有如下关系（一维情况）：θ=arctg［（L-X）/2d］，式中L为扫描面的尺寸；X为天线口径面的尺寸；d为扫描面到天线口径面的距离。远区场为弱场，其电磁场强度均较小。

天线周围的空间电磁场根据特性的不同又可划分为三个不同的区域：(a)感应近场，(b)辐射近场，(c)辐射远场，它们的区分依靠离开天线的不同距离来限定。在这些场区交界的距离处电磁场的结构并无突变发生，但总体上来看，三个区域的电磁场特性是互不相同的。尽管有各种准则来区分三者的边界，但这些准则并不是单独的，我们需要了解的是相互之间的本质区别：感应近场区指靠近天线的区域。在此区域内，由于感应场分量占主导地位，其电场和磁场的时间相位差为90度，电磁场的能量是震荡的，不产生辐射。超过距离，远场分量是远大于近场分量。深圳汽车电子近场辐射实验室

电磁防护的重点应该在近区场。深圳汽车电子近场辐射实验室

柱面辐射近场测量能够计算天线全部面的辐射方向图，但在θ=-90°或90°时，柱面波展开式中汉克尔函数已无意义，所以，柱面辐射近场测量适用于天线方向图为扇形波束天线的测量。球面辐射近场测量能够计算除球心以外天线任意面上任意点的辐射场，但测量及计算时间都较长。辐射近场测量的基本理论虽然已经成熟，且在实用中也取得了较多的研究成果，但对以下问题还应进行进一步的探讨研究：考虑探头与被测天线多次散射耦合的理论公式。所有的理论公式都是在忽略多次散射耦合条件下而得出的，这些公式对常规天线的测量有一定的精度，但对低副瓣或很低副瓣天线测量就必需考虑这些因素，因此，需要建立严格的耦合方程。深圳汽车电子近场辐射实验室

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