兰州ESD静电测试怎么办理流程

深圳市德莱检测技术有限公司（简称：德莱检测，英文缩写DL）是一家从事电子电器产品、消费产品和工业用品检测认证的第三方检测认证机构 。DL为电源、家电、灯具、消费产品检测认证服务。
DL具有丰富的认证经验，提供CE、KC、FCC、CB、GS、TUV、SASO、SONCAP、SAA、UL和CCC等一站式认证代理服务。
DL自成立以来，秉承“积极，耐心、，”的企业服务理念得到许多客户和合作机构的支持，帮助客户一次申请获得多国的认证证书和报告。
说明
　　IEC61340-5-1:2007标准是ESD S20.20:2007之外的另一个新的防静电**认证标准，IEC61340-5-1:2007标准是对通过ESD S20.20:2007标准较新， 欧洲和日本企业会较倾向于IEC61340-5-1标准的认证，对ESDS20.20:2007标准认证的客户，其静电防护体系也可以按IEC61340-5-1:2007标准方便地进行转换。ESD 适用的行业包括电子电气，IT 和通讯以及汽车等。
　　1.静电防护要求高的企业，如生产晶片，磁头的企业。
　　2.跨国公司的下属企业或者供应商，如 IBM，INTEL 等。
　　3.承接 OEM、ODM 的 EMS 企业

什么是ESD？ESD基本知识
ESD全称是Electro-Static discharge，其中文意思是“静电放电”。是指具有不同静电荷电位的物体相
互靠近或直接接触引起的电荷转移。简单说就是电荷瞬间从一个物体移到另一个物体上，形成一个电荷
转移的过程的现象，即具有不同静电电势（电位差）的物体或表面之间的静电电荷转移，就是静电放电
。在EMC领域我们习惯上称之为静电放电抗扰度试验，具体可参阅**标准IEC-61000-4-2/GBT 17626.2
。其中分接触放电和电磁场击穿介质放电。

对ESD进行静电屏蔽防护的方法
　　对ESD进行防护的好方法，是敏感器件进行静电屏蔽和磁场屏蔽，静电屏蔽可用导电良好的金属屏蔽片来阻挡电场力线的传输。一般有了静电屏蔽，磁场屏蔽就不再是十分需要的了，因为当高频磁力线穿过金属屏蔽片时，会在金属屏蔽片中感应产生回路电流（涡流），此电流产生磁场方向正好与干扰磁越大，其对地的分布电容也越大，当带电物体在进行电荷转移时，在同样电位的条件下，需要的电荷就会增加；而一些体积较小的便携式小型电子产品（如手机），则在进行ESD测试时可能很难过关，不过，对小型电子产品进行静电屏蔽也比较容易，只需在机壳上面贴一层薄薄的导电薄膜（或涂一层可导电的油漆）即可，因此，对敏感器件进行静电屏蔽是小型电子产品对付ESD测试比较常用的方法。

ESD静电放电模型：
(1)HBM 人体放电模型(Human-Body Model, HBM)
人体模型（Human Body Model - HBM），HMB是ESD模型中建立早和主要的模型之一。
HBM是传统的测试模式，定义在工业标准 (MIL-STD-883x)中。人体上带电，特别在干燥的冬天，常会接触如门把手时便会有被电到的感觉。这是人体活动的结果，静电荷积聚在人体上，当我们去接触芯片时，人体上的静电就经由IC的pin脚进入芯片内部，然后经由IC放电到地。(不只在接触PIN时才会发生，因为封装IC的表面就存在静电荷，接触包装表面也会发生。)放电过程在瞬间发生，大概几纳秒内将IC组件烧毁。
(2)MM 机器放电模型 (Machine Model, MM)
机器放电模式，也就是将人体换成了机器设备，主体部分的改变，使得测试模式的改变。在这情况下，指静电电荷积累在机器设备上，当接触到IC进对芯片放电，并因此毁坏了电路。机器放电模式，工业标准EIAJ-IC-121 method20。MM测试电路与HBM相似，数值改变如，电容值为200pf,充电电压500V,充电电阻100Mohms，放电部分加>500nH电感(电感量与电流无关，感抗XL=2πfL，f为频率)。因为绝大部分机器是金属的，等效电阻较小，导致瞬时放电电流巨大(几安培)。机器模型因在日本得到广泛应用，也叫日本模型。与家具模型不同的是它主要由200pf电容串非常低的电阻（<10Ω）代替通常串联的电阻构成。机器模型的典型代表如带电绝缘的机器人手臂、车辆、绝缘导体等。机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。典型的机器模型对小电阻（＜10Ω）放电的波形, 峰值电流可达几百安培，持续时间（决定于放电通路的电感）为几百纳。
(3)CDM 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM)
这种模式下，电荷积聚在IC本身，可能是因为与PIN摩擦，或者是接触到其他物体的静电电荷，使本身带电。再通过直接接地或间接接地进行放电，而形成的一种放电现象。此类现象的模拟十分困难，是因为导致放电的组件差异所造成的。这种现象表明IC可能在生产过程中受损，比如IC在传输过程中带电，在安装到电路板上时接地而损坏。有时也可能在测试过程中受到损坏。CDM等效电路因情况的不同而多种多样。因为封装很小，所以电容和电感值都很小，大约5pf和10nH。CDM的放电时间很短，电流能在1ns时间内冲到15安培的高峰，因此这种现象较容易对IC造成损伤。CDM与HBM没有相互关连性，成功的CDM测试不能预示器件用HBM会发生什么情况!
(4)其它FIM/IEC/E- 电磁场感应模式 (Field-Induced Model, FIM)
此类模式与CDM相似，只是IC带电方式不同。这种模式是IC在电场环境中，因感应而使本身带电，放电模式与CDM类拟。这种模式工业标准(JESD22-C101)，详情请阅读相关标准。
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　　深圳市德莱检测技术有限公司
　　Shenzhen DL Certification & Testing Co.,Ltd.
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