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陶瓷电容和瓷片电容有区别嘛，同方迪一为你解答

陶瓷电容：陶瓷电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，超高压瓷介电容25KV，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

二者联系和区别：瓷片电容的高频特性好，但电容值*大只能做到0.1uF。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种。瓷片电容的在识别上与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。以上就是同方迪一整理出来的资讯，同方迪一制造陶瓷电容和瓷片电容，超高压瓷介电容25KV，为你提供好的CG电容产品。

高压瓷片电容烧坏的原因介绍

一:潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高， 会使高压瓷片电容的表面绝缘电阻下降， 对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。

二:银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致高压瓷片电容损坏或击穿。

三:有的高压瓷片电容，南京瓷介电容25KV，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至炸掉。

四:从单颗瓷片电容分析，电容碰到了强大的电流，导致内部材料发热，散热不及时，造成热击穿损坏。

同方迪一分享瓷片电容的读数方法

瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同，分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示，超高压瓷介电容25KV，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V;

容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF;

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

例如：102表示标称容量为1000pF。

211表示标称容量为210pF。

214表示标称容量为21x10（4）pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用“9”表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。例如：219表示标称容量为21x（10-1）pF=2.2pF。

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