微波烘干 多晶硅太阳能板

硅原子位于元素周期表*IV主族，它的原子序数为Z=14，核外有14个电子。电子在原子核外，按能级由低硅原子到高，由里到外，层层环绕，这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子层有2个电子，*二层有8个电子，达到稳定态。外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。
铸造长晶工艺，是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向**部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。

多晶硅是一种重要的溅射靶材材料，使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层，可以使基体材料具备较好的光学、介电及抗蚀性能，被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。

通过原材料的筛选、长晶工艺的控制及退火工艺，实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒，并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的优化，将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到。
介质材料由性分子和非性分子组成，在电磁场作用下，这些性分子从原来的随机分布状态转向按照电场的性排列取向。在高频电磁作用下，这些取向按交变电磁场的变化而变化，这一过程致使分子的运动和相互磨擦从而产生热量。此时交变电磁场的场能转化为介质内的热动能，使介质温度不断升高，这就是微波加热的基本原理。
由此可见微波加热是介质材料自身损耗电场能量而发热，对于导电的金属材料，电波不能透入内部而被反射，金属材料不能吸收微波。介质材料，因其介质电常数εr和介质损耗角正切值tgδ不同，在微波电磁场作用下效果也不一样。

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