高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的*IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的*VA族元素,形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二管、三管、晶闸管、场效应管和各种集成电路(包括人们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。
硅是一种重要的溅射靶原材料,主要用在反应磁控溅射法镀制SiO2 以及SiN 等介质层。
铸造长晶工艺,是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量,来实现液态硅从底部开始,逐渐向**部的定向凝固,凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中,可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。
通过原材料的筛选、长晶工艺的控制及退火工艺,实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒,并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的优化,将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到。
用途:高清电视、OLED、笔记本电脑、手机、薄膜、HIT太阳能电池、光学镜片等。
易于控制
与常规加热方法比较,微波加热的控制只要操纵功率控制旋纽,即可瞬间达到升降、开停的目的。因为在加热时只对物体本身加热,炉体、炉腔内空气几乎不加热,因此热惯性小,应用计算机控制,特别适宜于加热过程和加热工艺的规范和自动化控制。
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