XCVU11P-2FLGB2104E

AD9680BCPZ-1250  AD9680是一款双通道、14位、1 GSPS模数转换器(ADC)。该器件内置片内缓冲器和采样保持电路，针对低功耗、小尺寸和易用性而设计。该器件设计用于高达2 GHz的宽带模拟信号采样。5962-9961003HXA  AD10200是一款内置信号调理电路模块的全通道ADC解决方案，提供改进的动态性能和完全匹配的通道间性能。该模块包括两个宽动态范围ADC，各ADC具有一个针对直接中频采样进行优化的变压器耦合**。AD10200具有片内采样保持(T/H)电路，并采用创新架构，可实现12位、105 MSPS性能。它借助创新的高密度电路设计和激光调整的薄膜电阻网络实现出色的匹配和性能，同时保持的隔离特性，并大幅缩小电路板面积。

XCVU9P-2FLGA2577I 原装公司 
XCVU9P-2FLGA2577I  资料参数如下 ：
制造商: Xilinx 
产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 
产品: Virtex UltraScale+ 
逻辑元件数量: 2586150 
输入/输出端数量: 568 I/O 
工作电源电压: 0.85 V 
小工作温度: - 40 C 
工作温度: + 100 C 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: FBGA-2577 
数据速率: 58 Gb/s  
系列: XCVU9P  
商标: Xilinx  
分布式RAM: 36.1 Mbit  
内嵌式块RAM - EBR: 75.9 Mbit  
产品类型: FPGA - Field Programmable Gate Array  
工厂包装数量: 1  
子类别: Programmable Logic ICs  
商标名: Virtex UltraScale+

XCVU13P-2FHGB2104I
XCVU13P-2FHGB2104E
XCVU13P-2FHGB2104C
XCVU13P-1FHGB2104I
XCVU13P-1FHGB2104E
XCVU11P-3FLGB2104E
XCVU11P-2FLGB2104E
XCVU11P-1FLGB2104I
XCVU11P-1FLGB2104E
XCVU11P-2FLGB2104I
XCKU115-1FLVA1517I
XCKU115-1FLVA1517C
XCKU115-2FLVA1517I
XCKU115-2FLVA1517E
XCKU115-3FLVA1517E
XCKU115-3FLVF1924E
XCKU115-2FLVF1924I
XCKU115-2FLVF1924E
XCKU115-2FLVF1924C
XCKU115-1FLVF1924I
XCKU115-1FLVF1924C
XC7Z035-2FFG676I
XC7Z035-2FFG676E
XC7Z035-2FFG676C
XC7Z035-1FFG676I
XC7Z035-1FFG676C
XC5VSX95T-1FFG1136I
XC5VSX95T-1FFG1136C
XC5VSX95T-2FFG1136I
XC5VSX95T-2FFG1136C
XC7K325T-1FFG676I
XC7K325T-2FFG676I
XC7K325T-1FFG676C
XC7K325T-2FFG676C
XC5VFX100T-1FFG1136C
XC5VFX100T-2FFG1136C
XC5VFX100T-1FFG1136I
XC5VFX100T-3FFG1136C
XC5VFX100T-2FFG1136I
XC5VFX100T-3FFG1136I
XC4VLX60-10FF1148C  
XC4VLX60-10FF1148I   
XC4VLX60-11FF1148C   
XC4VLX60-11FF1148I   
XC4VLX60-12FF1148C  
XC4VLX60-12FF1148I

Triquint的TGA2578是在TrimQuin的0.25M GaN上SiC工艺制备的宽带功率放大器。工作在2～6 GHz，实现了30 W饱和输出功率，40% PAE效率高，小信号增益27 dB。完全匹配的50欧姆与集成直流阻塞帽两个I/O端口，TGA2578是理想的，以支持商业和*相关的应用。晶圆代工**台积电(TSM.US)7纳米产能*四季接单全满，明年上半年同样供不应求，虽然设备业界传出7纳米可能涨价消息，不过几位采用7纳米投片的台积电客户均表示并没有涨价情况。不过业者透露，苹果(AAPL.US)包下了大部分7纳米产能，明年上半年只能等良率提升后减少投片数量，才会有产能释出。台积电在封装技术研发上也加快脚步，今年4月推出多晶圆堆叠(WoW)及系统整合单芯片(SoIC)等3D封装技术。魏哲家指出，台积电布局封装领域多年，从基板上晶圆上芯片封装(CoWoS)、整合扇出型封装(InFO)到3D封装，已有六、七年生产经验，未来3D IC将可达到客户需要的效能与结构。