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IGBT承受过电流的时间仅为几微秒,耐过小,因此使用IGBT首要注意的是过流保护。那么该如何根据IGBT的驱动要求设计过流保护呢:
IGBT的过流保护可分为两种情况:
1、驱动电路中无保护功能;
2、驱动电路中设有保护功能。对于种情况,我们可以在主电路中要设置过流检测器件;针对*二种情况,由于不同型号的混合驱动模块,其输出能力、开关速度与du/dt的承受能力不同,使用时要根据实际情况恰当选用。对于大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护则可以通过封锁驱动信号或者减小栅压来进行保护。
在使用IGBT的场合,当栅较回路不正常或栅较回路损坏时(栅较处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅较与**较之间串接一只10KΩ左右的电阻。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双较型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双较型晶体管复合而成的一种器件,其输入较为MOSFET,输出较为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双较型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅较和**较之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅较和**较之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基较电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅较—**较间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
IGBT全称绝缘栅双较晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个较分别是集电极(C)、**较(E)和栅较(G)。
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