无锡瓷片电容25KV-迪一电子提供技术支持

同方迪一讲述瓷片电容技术参数的发展历程

1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ；

30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容 ；

1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。

1960年左右陶瓷叠片电容 作为商品开始开发。

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点。

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容 市场的70%左右。

贴片电容

贴片电容

贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，超高压瓷片电容25KV，也称为贴片电容。英文缩写：MLCC。贴片电容的分类1、NPO电容器2、X7R电容器3、Z5U电容器4、Y5V电容器。

区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

超高压瓷片电容器热设计介绍

超高压瓷片电容器热设计涉及的问题比较复杂，除了电容器内的热源较多(电场作用下，产生热的不只是工作介质，还有极板、引线、辅助介质等)外，无锡瓷片电容25KV，电容器内部的导热情况和热流方向错综复杂;介质的损耗角正切和电导随工作状态的变化;各部分能量损耗随诸多因素(散热系数、温度、电压、环境气流等)而改变等，超高压瓷片电容25KV，很难用完整的计算来反映众多因素的共同影响。目前所应用的热计算理论都是在下列假设的基础上建立起来的。

(1)电容器内的热源主要是工作介质，而把其它部分的功率损耗忽略;

(2)电容器的散热热流方向(包括内部导热和外部散热的方向)只是垂直于电容器的侧面;

(3)电容器的表面散热系数是一个常数;

(4)工作介质的电导和损耗角正切与介质厚度、电压无关，它们与温度间呈指数关系，且忽略参数分散性;

(5)介质的介电常数与温度无关。

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