GTVA220701FA-V1-R0 cree代理

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CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其大栅较电流为41.6mA/14.4mA，漏较电流为17A和6A。

CGH40045F-TB漏级偏置电路采用对称设计，主要分析原因在于降低偏置网络阻抗，提高视频带宽VBW，从而减小功放管的电记忆效应。
当功放管在数字预失真方案中，减小记忆效应对功放的影响显的尤为重要，偏置电路是记忆效应的一个重要来源，现实中，功率管的漏较到电源之间的电路阻抗（video impedance）在低频（VBW 10MHz）时并非为0，该阻抗的存在使得加载到功率管漏较的电压并非是个恒定值，而是随着功放输入信号变化。

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的**。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理较大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热较低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将较亮、较可调节的发光二极管用于一般照明、获得较鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及较为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二极管芯片、照明用发光二极管、背光发光二极管、电源开关器件、以及广播/无线设备。

Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或化镓，包括较高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了较大的功率密度和较宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
         宽带放大器
         蜂窝基础设施
         测试仪器
         适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
         Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。