CGH40010P 微波射频代理

移动应用、基础设施与*应用中**技术与RF解决方案的供应商Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，截至2019年6月29日的2020财年*1季度财务业绩。按照GAAP计算的Qorvo 2020财年*1季度收入为7.76亿美元，毛利率为37.9%，稀释每股收益为0.33美元。
此次公开的Qorvo未来的运营规划包括：
打入近地轨道卫星宽带GaN放大器市场并**主导地位，从而为**几乎所有地方提供OneWeb™太空互联网连接。
高频5GHz BAW滤波器使Wi-Fi 6产品组合进一步扩展，并签订基于BAW的iFEM的设计合同，从而实现行业的范围、吞吐量和信号完整性。
签订共存BAW滤波器和LNA的设计合同，为General Motors®、Volkswagen®及其他汽车OEM提供支持。
将电源管理技术延伸至新的垂直市场，并提供电源管理解决方案，为包括Skil®电动工具在内的多种应用提供支持。
成为韩国智能手机制造商的供应商，为2019年快速发展的5G设备提供天线调谐、高频段及**高频段解决方案。
签订中国一家OEM的设计合同，为即将上市的5G智能手机供应低频段、高频段和**高频段解决方案。
为Samsung®供应用于大众市场Galaxy A™系列的天线调谐、高频段PAD和Wi-Fi iFEM，显著提高在中端市场的市场占有率和营业额。
基于频段 1／3／7BAW的六工器开始大量出货，实现面向出口市场的较高阶的载波聚合，并供应多个中国的智能手机OEM。
接到新发布的基于BAW的天线转换开关的订单，并获得可编程5G天线调谐器（可执行孔径和阻抗调谐）的设计合同。

自动驾驶分为Level0—Level5，其中Level0 指的是无自动驾驶，即人工驾驶；而汽车的驾驶（Level1、Level2）中，需要包括摄像头、毫米波等各种传感器的技术支持。从技术角度而言，MSTR001、MSTR002两款芯片能够满足Level1 AEC Q100车规等级要求。在关键指标上，迈矽科微电子毫米波芯片的典型输出功率达到13dBm（全温度范围）并带有可调功率输出。**链路可选择为双相调制（MSTR001）或者6-bit移相（MSTR002）输出。芯片同时包含了功率检测、温度传感与内建自检（BIST）的功能，可通过SPI接口进行灵活控制，主要参数均**现有**上现有产品。
此外，MSTR001、MSTR002两款芯片采用SiGe工艺与eWLB封装，内置了26GHz VCO与8分频输出，并可接收外部本振输入，从而可级联工作、构成较大规模的阵列，能够高性能地满足汽车自适应巡航、防碰撞等需求。
据了解，车载毫米波的工作原理为，通过天线向外**毫米波，接收目标反射信号，经后方处理后快速准确地获取汽车车身周围的物理环境信息，然后根据所探知的物体信息进行目标追踪和识别分类，进而结合车身动态信息进行数据融合，终通过处理单元（ECU）进行智能处理。
关于毫米波芯片的发展机会，曾有行业预测称，谁能在77GHz 频段中率先突围出来，谁就能掌握该项技术的主动权。而迈矽科本次发布的两款芯片，包括三个**通道和四个接收通道，所有通道可立工作于76-81GHz频率范围内，在带宽、探测距离、功耗等方面优势显著。
毫米波作为无人驾驶的关键底层支撑，是迈矽科自团队创立之前便持续深耕的领域，已拥有十余年的理论和技术积累。侯德彬在发布会上介绍说，本次发布的两款毫米波芯片，相较于目前行业中在研或正在测试的其他同类产品，其可靠性较高，而成本较低，对数据的处理较精准，算力较强，未来也能匹配除无人驾驶之外更多的应用场景。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率追赶大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年**微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz追赶大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在完全额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少更换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，*更多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门较偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。