沈阳磁控溅射五氧化二钽靶材规格

在可见和近红外区有高的透过率和反射率 ,已应用于增透膜、激光器、光通讯、太阳能电池等元器件上。五氧化二钽膜层又具有高介电常数 ,也是制造薄膜电容器的重要材料

又称“氧化钽”。化学式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,结晶形白色粉末或无色难溶性粉末。相对密度8.2,熔点1872℃±10℃。有多种同素异形体,其中β-Ta2O5在1360℃以下稳定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔点以下稳定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、矿酸类和碱溶液,溶于氢氟酸和熔融的碱或焦硫酸钾。

当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者较小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品

离子束溅射Ta2O5薄膜的研究主要集中在离子束、烘烤温度和工作气体流量比等参数的优化以及热处理对薄膜性能的影响上，并获得了离子束溅射制备Ta2O5薄膜的折射率、消光系数、应力、化学计量比、微结构和光学带隙等特性。

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