无锡磁控溅射五氧化二钽靶材厂家

氧化钽化合物有多种价态 :如一氧化钽、三氧化二钽、二氧化钽等 ,作为镀膜材料 ,五氧化二钽是常见的形态。纯净的五氧化二钽熔点 1 872℃ ,密度 8.1 g/cm3～ 8.7g/cm3,溶于熔融的硫酸氢钾和氢氟酸 ,不溶于水或其它酸

生产晶书钽的原料。也用于电子工业。供拉钽酸锂单晶和制造高折射低色散特种光学玻璃用,化工中可作催化剂。

【中文名称】五氧化二钽
【英文名称】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【结构或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔点（℃）】1800
【性状】
白色斜方晶体，菱形柱状体。
【溶解情况】
溶于熔融硫酸氢钾和氢氟酸,不溶于水和其他酸。

当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者较小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品

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