用来制造片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀
氮化钽靶材----氮化钽(Tantalum mononitride)是一种化工材料,分子式为TaN,分子量为194.95。
用来制造片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路的过程中,这些膜沉积在硅晶片的**部,以形成薄膜表面贴装电阻
氮化钽为黄绿色结晶,属型结晶,相对密度为15.6。晶格常数为a=0.4336nm,c=0.4150nm。熔点为2950℃,显微硬度为3200kg/mm2,转化点温度为17.8K。
应用反应射频磁控技术,在氧化铝陶瓷样片上制备了方阻稳定性好的Ta N薄膜,研究了氮分压(N2/(N2+Ar))、沉积温度、沉积时间对Ta N膜层结构和电性能的影响,通过X射线衍射、四探针方阻仪器测试了薄膜的微结构和方阻值
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