- 产品描述
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Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或化镓相比，GaN具有优异的性能，包括较高的击穿电压，较高的饱和电子漂移速度和较高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供较大的功率密度和较宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现较宽的带宽
优势产品系列：
CGHV14800
CGHV96050F2
CMPA5585025D
CMPA0060025D
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA601C025D
CMPA601C025F
CMPA2560025F
CGH40006P
CGH40025
CGH40035
CGH40010
CGH40006S
CGH40045
CMPA801B025
CMPA0060002D
CGHV22100
CGH35060F
CGH35030
CGH35015
CGH09120F
CMPA5585025F
CGHV27030S
CGHV27015S
CGH27060
CGH27030S
CGH27030
CGH27015
CGHV40050
CGH40090PP
CMPA2735075F
CGHV96100F2
CGHV59350
CGHV35150
CGHV31500F
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其大栅较电流为41.6mA/14.4mA，漏较电流为17A和6A。
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主要经营集成电路。
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