C2M1000170J cree代理

深圳市希罗斯科技有限公司是一家主营Xilinx/Broadcom/Altera/AD/TI的分销商, 为国内研究所机构及高等院校提供一站式服务平台。型号齐全，长期供应，信誉度较高。我们能提供的产品广泛，应用于航空航天、船舶、汽车电子、计算机、铁路、电子、通信网络、电力工业以及大型工业设备等。深圳市希罗斯科技有限公司坚守以客户，质量，信誉的原则，层层把关渠道，把控质量，每片产品来源可追溯，得到了广大客户的认可和支持。
产品定位：工业级及以上电子元器件。
主营产品：FPGA，AD/DA转换器，DSP，嵌入式可编程门阵，运算放大器，开发板等。
优势产品系列：
CGHV14500 
CGHV14250
CGH55030F
CGH55015F
CGH35240
CGH35060F
CGH31240 
CMPA801B025D 
CMPA2735075D 
CGH55030F
CGH55015F
CGHV40100 
CGHV40030 
CGHV60170D 
CGHV60075D5 
CGHV60040D 
CGHV40320D 
CGHV1F025S 
CGHV1F006S 
CGHV1J070D 
CGHV1J025D 
CGHV1J006D 
CGH40180PP 
CGH40120P 
CGH40120F 
CMPA2560025D 
CGH60120D 
CGH60060D
CGH60030D 
CGH60015D 
CGH60008D 
CGHV35400F 
CGHV27100
CGHV22200
CGHV27200
CGH21240F
CGH25120F
CGH21120F
CGH80030D
CMPA2060025D
CGHV35060MP
CGHV27060MP
CGHV59070
CMPA1D1E030D
CGHV96050F1 
CGHV50200F 
CMPA1D1E025F

CMPA5585025F 该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持较低流耗，可降低功率分布损耗，实现较高的整体系统效率。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。

英飞凌（Infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（Cree）旗下Wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（SiC）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的**技术，近2000项**与550名员工。用英飞凌执行官Reinhard Ploss的话说就是：“收购Wolfspeed以后，我们将成为**大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也**会争。”
Wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将Wolfspeed拆分出来独立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是*、大功率工业设备与毫米波通信等产业的**。相比硅和化镓（GaAs）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻较低，芯片尺寸较小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率较高，也能够耐受较高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？
 就是成本。据ROHM半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求较为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年**硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。