- 产品描述
深圳市希罗斯科技有限公司是一家主营Xilinx/Broadcom/Altera/AD/TI的分销商, 为国内研究所机构及高等院校提供一站式服务平台。型号齐全，长期供应，信誉度较高。我们能提供的产品广泛，应用于航空航天、船舶、汽车电子、计算机、铁路、电子、通信网络、电力工业以及大型工业设备等。深圳市希罗斯科技有限公司坚守以客户，质量，信誉的原则，层层把关渠道，把控质量，每片产品来源可追溯，得到了广大客户的认可和支持。深圳市希罗斯科技有限公司主要经销：ADI TI XILINX ALTERA IDT MSC QORVO CREE Intersil IR等产品。功能涉及:DSP FBGA A/D转换 D/A转换 MCU DDR MOSFET 微波射频等。产品用途涉及：航空航天 通信 微波 雷达导弹 战舰 航海等重型设备和**&高可靠设备。希罗斯科技专注**IC数十年，只做原装**！
产品定位：工业级及以上电子元器件。
主营产品：FPGA，AD/DA转换器，DSP，嵌入式可编程门阵，运算放大器，开发板等。
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。
CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• **视距通信
CMPA5585025F 该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持较低流耗，可降低功率分布损耗，实现较高的整体系统效率。
Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或化镓相比，GaN具有优异的性能，包括较高的击穿电压，较高的饱和电子漂移速度和较高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供较大的功率密度和较宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现较宽的带宽
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主要经营集成电路。
我们公司主要供应集成电路等产品，我们的产品货真价实，性能可靠，欢迎电话咨询！
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