氮化钽靶材----氮化钽(Tantalum mononitride)是一种化工材料,分子式为TaN,分子量为194.95。
用来制造片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路的过程中,这些膜沉积在硅晶片的**部,以形成薄膜表面贴装电阻
利用磁控反应溅射技术制备了氮化钽薄膜,利用TEM、XRD技术研究了薄膜的微观结构。研究结果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒细小(16nm左右);同时还发现,在一定工作压力下,随着氮分压的提高,氮化物晶粒形成的取向改变,即平行于基体表面生长的晶面会有改变。
用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性
通过射频磁控溅射的方法,采用TaN靶,在石英玻璃基底上成功制备了系列面心立方结构的多晶δ-TaNx薄膜,对薄膜的晶体结构、微观形貌、电学性质进行了系统研究,分析了溅射条件对薄膜结构和电输运性质的影响,并对δ-TaNx薄膜在不同温区的导电机制进行了探讨
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