泰安氮化硼陶瓷供应商

氮化硼陶瓷有良好的耐热性、热稳定性、导热性、高温介电强度，是理想的散热材料和高温绝缘材料。氮化硼的化学稳定性好，能抵抗大部分熔融金属的浸蚀。它也有很好的自润滑性。氮化硼制品的硬度低，可进行机械加工，精度为1/100mm。
氮化硼陶瓷化学气相合成法：
1979年Sokolowski成功利用脉冲等离子体技术在低温低压下制备成立方氮化硼(CBN)膜。所用设备简单，工艺易于实现，因此得到迅速发展。已出现多种气相沉积方法。传统来讲主要是指热化学气相沉积。实验装置一般由耐热石英管和加热装置组成，基体既可以通过加热炉加热(热壁CVD)，也可以通过高频感应加热(冷壁CVD)。反应气体在高温基体表面发生分解，同时发生化学反应沉积成膜，反应气体有BCl3或B2H4与NH3的混合气体。

氮化硼陶瓷高温高压合成法：
1957年Wentorf人工合成立方BN。在温度接近或**1700℃，低压强为11～12GPa时，由纯六方氮化硼(HBN)直接转变成立方氮化硼(CBN)。随后人们发现使用催化剂可大幅度降低转变温度和压力。常用的催化剂为：碱和碱土金属、碱和碱土氮化物、碱土氟代氮化物、硼酸铵盐和无机氟化物等。其中以硼酸铵盐作催化剂所需的温度和压力低，在1500℃时所需压力为5GPa，而在压力为6GPa时其温度区间为600～700℃。由此可见，虽然加催化剂可大大降低转变温度和压力，但所需的温度和压力还是较高。因而其制备的设备复杂、成本高，其工业应用受到限制。

氮化硼陶瓷苯热合成法：
作为近年兴起的一种低温纳米材料合成方法，苯热合成受到广泛关注。苯由于其稳定的共轭结构，是溶剂热合成的优良溶剂，近成功地发展成苯热合成技术，如反应式：
BCl3+Li3N→BN+3LiCl
或BBr3+Li3N→BN+3LiBr
反应温度只有450℃，苯热合成技术可以在相对低的温度和压力下制备出通常在较端条件下才能制得的、在**高压下才能存在的亚稳相。这种方法实现了低温低压制备立方氮化硼。但是这种方法尚处于实验研究阶段，是一种很有应用潜力的合成方法。

氮化硼六方晶系结晶，常见为石墨晶格，也有无定形变体，除了六方晶型以外，碳化硼还有其他晶型，包括：菱方氮化硼(简称：r—BN，或称：三方氮化硼，其结构类似于h—BN，会在h—BN转化为c—BN的过程中产生)、立方氮化硼[简称：c—BN，或|3一BN，或z-BN(即闪锌矿型氮化硼)，质地非常坚硬]、纤锌矿型氮化硼(简称：w—BN，h—BN高压下的一种坚硬状态)。人们甚至还发现像石墨稀一样的二维氮化硼晶体(类似的还有MoS：二维晶体)。
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