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CMPA5585025F 该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持较低流耗，可降低功率分布损耗，实现较高的整体系统效率。
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%
优势产品系列：
CGHV14800
CGHV96050F2
CMPA5585025D
CMPA0060025D
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA601C025D
CMPA601C025F
CMPA2560025F
CGH40006P
CGH40025
CGH40035
CGH40010
CGH40006S
CGH40045
CMPA801B025
CMPA0060002D
CGHV22100
CGH35060F
CGH35030
CGH35015
CGH09120F
CMPA5585025F
CGHV27030S
CGHV27015S
CGH27060
CGH27030S
CGH27030
CGH27015
CGHV40050
CGH40090PP
CMPA2735075F
CGHV96100F2
CGHV59350
CGHV35150
CGHV31500F
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或化镓，包括较高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了较大的功率密度和较宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
欢迎来到深圳市希罗斯科技有限公司网站，我公司位于经济发达，交通发达，人口密集的中国经济中心城市—深圳。 具体地址是广东深圳公司街道地址，负责人是刘小姐。
主要经营集成电路。
我们公司主要供应集成电路等产品，我们的产品货真价实，性能可靠，欢迎电话咨询！
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