深圳磁控溅射氮化钽靶材价格 TaN靶材

氮化钽靶材----氮化钽（Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。
用来制造片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的**部，以形成薄膜表面贴装电阻

一定工作压力下，制备的氮化钽薄膜硬度高达４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探讨了氮化钽薄膜高硬度的原因，并且讨论了随氮分压的提高薄膜织构变化的原因

应用反应射频磁控技术,在氧化铝陶瓷样片上制备了方阻稳定性好的Ta N薄膜,研究了氮分压(N2/(N2+Ar))、沉积温度、沉积时间对Ta N膜层结构和电性能的影响,通过X射线衍射、四探针方阻仪器测试了薄膜的微结构和方阻值

研究表明，影响氮化钽薄膜结合力的主要因素为溅射压力和加热温度，氮分压比、溅射电流为次要因素；氮分压对氮化钽薄膜的硬度影响较大

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