苏州氧化铌靶厂家 昆山世高新材料科技有限公司

基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现较快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。

在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。

在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。

铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

世高 主营靶材— 高性能薄膜新材料，属国家**，于2007年成立溅射靶材公司。在交利的江苏苏州昆山设立了生产和研发基地。世高一直致力于高性能材料的研发和生产，为靶材的国产化作出了重要贡献。 世高新材料的产品广泛应用于半导体显示、半导体芯片、光伏太阳能、低辐射玻璃、光学光通讯、装饰镀工具镀等行业。公司经过多年努力，成功获得行业客户和**的认可，积累了一批优质稳定的行业客户，包括日久光电、 蓝思科技、芜湖长信、信利光电、镀邦光电 、伯恩光学等。