PTFB211503FL-V2-R250 cree代理 海外渠道

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Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的**。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域*特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理较大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热较低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将较亮、较可调节的发光二极管用于一般照明、获得较鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及较为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二极管芯片、照明用发光二极管、背光发光二极管、电源开关器件、以及广播/无线设备。

优势产品系列：
CGHV14800
CGHV96050F2 
CMPA5585025D 
CMPA0060025D 
CMPA0060002F 
CMPA0060025F
CMPA601C025D 
CMPA601C025F 
CMPA2560025F 
CGH40006P
CGH40025 
CGH40035 
CGH40010 
CGH40006S 
CGH40045 
CMPA801B025 
CMPA0060002D
CGHV22100 
CGH35060F
CGH35030 
CGH35015 
CGH09120F 
CMPA5585025F 
CGHV27030S
CGHV27015S 
CGH27060 
CGH27030S 
CGH27030 
CGH27015 
CGHV40050 
CGH40090PP
CMPA2735075F
CGHV96100F2 
CGHV59350 
CGHV35150 
CGHV31500F

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• **视距通信

Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或化镓，包括较高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了较大的功率密度和较宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
         宽带放大器
         蜂窝基础设施
         测试仪器
         适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
         Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。